比UFS 2.1性能翻番！UFS 3.0正式发布：2.9GB s

1月31日上午消息，固态技术协会（JEDEC）发布了UniversalFlashStorage(UFS&UFSHCI，通用闪存存储)v3.0标准（JESD220D、JESD223D），和UFS存储卡v1.1标准（JESD220-2A）。

简单来说，UFS3.0引入了HS-G4规范，单通道带宽提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS2.1）性能的2倍。

由于UFS的最大优势就是双通道双向读写，所以接口带宽最高23.2Gbps，也就是2.9GB/s。

互联层设计方面，严格遵守MIPI（(移动产业处理器接口）的规范协议，其中物理层依据MIPIM-PHYv4.1，传输层依据MIPIUniProSMv1.8。

其它方面，UFS3.0支持的分区增多（UFS2.1是8个），纠错性能提升，电压2.5V，支持最新的NANGFlash闪存介质。面向工业领域如汽车自动驾驶，工作温度零下40摄氏度到高温105摄氏度。

至于UFSHCIv3.0规范这面向主控厂商参考，用于简化通行设计。

至于UFS存储卡v1.1，则实现了对HS-Gear1/2/3的全部兼容，这样存储速度就达到最高1.5GB/s。

另外，三星已经宣布，将在2018年第一季首发推出UFS3.0接口的产品。由于骁龙845、Exynos9810等尚无证据支持UFS3.0接口，所以是否对应GalaxyS9终端或者仅仅是主控、闪存这类零部件，暂不得而知。